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高阻抗本征硅 高阻硅片 高阻抗本征硅基片 高阻抗硅窗片 高阻硅窗片

产品报价:500元

更新时间:2019/7/12 9:57:02

地:上海

牌:TYDEX

号: HRFZ-Si

厂商性质: 生产型,

公司名称: 上海屹持光电技术有限公司

产品关键词: 高阻抗硅窗片   高阻抗本征硅   高阻抗硅透镜   高阻硅基片   高阻硅片  

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高阻抗本征硅 高阻硅片 高阻抗本征硅基片 高阻抗硅窗片 高阻硅窗片产品简介     

      除了人造金刚石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是比较的适合极宽范围从(1.2 μm) mm (1000 μm甚至8000um)波的各项同性晶体材料。和金刚石相比,它要便宜的多,并且生长制造更容易。而?#23452;?#23610;寸更大,更容易制造,THZ技术的快速发展,就基于该优点。对于THZ应用,我们提供在1000 μm (对于更长波长,3000甚至8000微米)透过率达到50-54%High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮区本征硅材料,和相关光学元件。


      合成电解质硅的介电常数由传导?#31034;?#23450;(例如:自由电子-载流?#20248;?#24230;)。图3显?#38236;?#26159;在1THZ下,不同纯度下的硅的介电常数.低掺杂的介电常数接近真实值,大约等于高?#21040;?#30005;常数。随着掺?#20248;?#24230;的提高,真实的介电常数将变成负数,而且不能被忽略。介电常数表征的是THZ波的传输损耗特性。损耗系数可以用下面的公式计算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 这里 ω – 圆频率, εv – 真空下的介电常数(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介电常数(11.67), R是电阻值。例如,1THZ下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si损耗系数为1.54*10-5。


1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫兹时域光谱仪测试数据


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上海屹持光电技术有限公司

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